收藏本站
IXTA300N04T2
IXTP300N04T2
30
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
40
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
28
26
R G = 2 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
35
T J = 125oC
R G = 2 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
24
30
22
I
D
= 200A
25
20
18
16
I
D
= 100A
20
15
T J = 25oC
14
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
120
75
45
55
100
80
60
40
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 200A, 100A
65
55
45
35
40
35
30
25
20
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 100A
I D = 200A
50
45
40
35
30
15
25
20
0
25
15
10
5
20
15
2
4
6
8
10
12
14
16
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
40
60
250
220
36
32
28
24
20
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
T J = 125oC
55
50
45
40
35
225
200
175
150
125
100
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 100A, 200A
200
180
160
140
120
100
75
80
16
12
8
T J = 25oC
30
25
20
50
25
0
60
40
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
2
4
6
8
10
12
14
16
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTP3N50P MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220
IXTP42N15T MOSFET N-CH 150V 42A TO-220
IXTP44N10T MOSFET N-CH 100V 44A TO-220
IXTP4N80P MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
IXTP50N085T MOSFET N-CH 85V 50A TO-220
IXTP50N20PM MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
IXTP64N055T MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
IXTP70N085T MOSFET N-CH 85V 70A TO-220
相关代理商/技术参数
IXTP30N08MA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5)
IXTP30N08MB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5)
IXTP30N10MA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5)
IXTP30N10MB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5)
IXTP32N20T 功能描述:MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP32P05T 功能描述:MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP32P20T 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube